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NDF04N62Z, NDD04N62Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10,000
1200
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
1000
800
600
400
200
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
0
100
200
300
400
500
600
0
0
50
100
150
200
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
20
400
1000
15
QT
300
V DD = 310 V
I D = 4 A
V GS = 10 V
10
Qgs
V DS
Qgd
V GS
200
100
10
t d(off)
t r
t f
t d(on)
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V DS = 310 V
T J = 25 ° C
I D = 4 A
16 18
100
0
20
1
1
10
100
4
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
3
T J = 25 ° C
10
10 ms
1 ms
100 m s 10 m s
dc
2
1
V GS ≤ 30 V
Single Pulse
1
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.01
1
Package Limit
10
100
1000
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area for NDF04N62Z
http://onsemi.com
4
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